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IGBT逆变器损耗;尾巴是相当严重地限制高频使用的绊脚石【百家博最新版】

本文摘要:1)IGBT的主导体GTR的基本区域储存电荷问题。故障诊断电路图(1)图(1)IGBT的GTR在使用基地N型半导体开通时,会产生基准电流,转换成P型,将原来的PNP型阻断区域转换成P-P-P路径。由于GTR过度饱和,基本N过度转换为P型。

IGBT逆变器损耗;尾巴是相当严重地限制高频使用的绊脚石。这个问题由两个方面组成。

1)IGBT的主导体GTR的基本区域储存电荷问题。2)栅极宿主电阻和栅极驱动电荷;包括RC延迟网络,导致IGBT延迟和关闭。

这里;首先讨论原因1的解决方法。故障诊断电路图(1)图(1)IGBT的GTR在使用基地N型半导体开通时,会产生基准电流,转换成P型,将原来的PNP型阻断区域转换成P-P-P路径。为了确保可靠的引导,GTR处于过量的近饱和模式。

所谓基本储存效果引起的牵引;由于GTR过度饱和,基本N过度转换为P型。在变频器中,P型半导体需要填充成本惩罚,甚至N型,所以这个过程会引起元件的牵引。(威廉莎士比亚、温斯顿、半导体、半导体、半导体、半导体、半导体)图(2)该电路使用一定的饱和驱动方法。

使IGBT在一定的饱和模式下工作。IGBT实际上处于饱和状态。

驱动电压不被直流降低。解除饱和状态。相反,IGBT驱动电压下降,VCE上升;相似的饱和状态。

标准IGBT对于,该电路可确保IGBT的传导压降基本保持在3.5V水平。换句话说,IGBT在线性区域工作。这将驱动IGBT的GTR基础。完全没有充电过程。

这样装置的拖车问题就完全解决了!现在,唯一不存在的问题是IGBT的通态压力降额低。这种方式已经在逻辑IC中流行。现在的超高速逻辑电路都是这个结构。

包括电脑上的CPU!哈哈!你已经尝到了这个原理,只是;不要说话!。


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